Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
G3S06503A

G3S06503A

DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC

Global Power Technology-GPT

390
RFQ
G3S06503ADatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A 1.7 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 181pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
G3S06504C

G3S06504C

DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252

Global Power Technology-GPT

3,978
RFQ
G3S06504CDatenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 181pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 -55°C ~ 175°C
G3S06504A

G3S06504A

DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC

Global Power Technology-GPT

13
RFQ
G3S06504ADatenblatt - TO-220-2 Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 181pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
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