Dioden-Arrays

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodenkonfiguration Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur - Sperrschicht Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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TRS24N65D,S1F

TRS24N65D,S1F

DIODE ARR SCHOTT 650V 12A TO-247

Toshiba Semiconductor and Storage

3,443
RFQ
TRS24N65D,S1FDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete 1 Pair Common Cathode Schottky 650 V 12A (DC) 1.7 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 90 µA @ 650 V 175°C (Max) - - Through Hole TO-247
1SS184S,LF(D

1SS184S,LF(D

DIODE ARRAY GP 80V 100MA S-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage

3,597
RFQ
1SS184S,LF(DDatenblatt - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete 1 Pair Common Cathode Standard 80 V 100mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 500 nA @ 80 V 125°C (Max) - - Surface Mount S-Mini
TRS12N65FB,S1F(S

TRS12N65FB,S1F(S

DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-247

Toshiba Semiconductor and Storage

3,855
RFQ
TRS12N65FB,S1F(SDatenblatt - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A (DC) 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 650 V 175°C (Max) - - Through Hole TO-247
TRS20N65FB,S1F(S

TRS20N65FB,S1F(S

DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247

Toshiba Semiconductor and Storage

4,952
RFQ
TRS20N65FB,S1F(SDatenblatt - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A (DC) 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 650 V 175°C (Max) - - Through Hole TO-247
TRS24N65FB,S1F(S

TRS24N65FB,S1F(S

DIODE ARRAY SIC 650V 12A TO-247

Toshiba Semiconductor and Storage

3,195
RFQ
TRS24N65FB,S1F(SDatenblatt - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A (DC) 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 650 V 175°C (Max) - - Through Hole TO-247
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