Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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STGW40H120DF2

STGW40H120DF2

IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3

STMicroelectronics

430
RFQ
STGW40H120DF2Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 80 A 160 A 2.6V @ 15V, 40A 468 W 1mJ (on), 1.32mJ (off) Standard 187 nC 18ns/152ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V 488 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IKW40N120CH7XKSA1

IKW40N120CH7XKSA1

IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3

Infineon Technologies

322
RFQ
IKW40N120CH7XKSA1Datenblatt TRENCHSTOP™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 82 A 160 A 2.15V @ 15V, 40A 330 W 1.69mJ (on), 920µJ (off) Standard 290 nC 36ns/336ns - 120 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-U06
IKW40N120CS7XKSA1

IKW40N120CS7XKSA1

IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3

Infineon Technologies

240
RFQ
IKW40N120CS7XKSA1Datenblatt TRENCHSTOP™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 82 A 120 A 2V @ 15V, 40A 357 W 2.55mJ (on), 1.75mJ (off) Standard 230 nC 27ns/190ns 600V, 40A, 4Ohm, 15V 175 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

IGBT PT 600V 100A TO247

Microchip Technology

150
RFQ
APT30GP60BDQ1GDatenblatt POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 600 V 100 A 120 A 2.7V @ 15V, 30A 463 W 260µJ (on), 250µJ (off) Standard 90 nC 13ns/55ns 400V, 30A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
STGW30NC60KD

STGW30NC60KD

IGBT 600V 60A 200W TO247

STMicroelectronics

110
RFQ
STGW30NC60KDDatenblatt PowerMESH™ TO-247-3 Tube Active - 600 V 60 A 125 A 2.7V @ 15V, 20A 200 W 350µJ (on), 435µJ (off) Standard 96 nC 29ns/120ns 480V, 20A, 10Ohm, 15V 40 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IKW75N65EL5XKSA1

IKW75N65EL5XKSA1

IGBT 650V 80A TO247-3

Infineon Technologies

565
RFQ
IKW75N65EL5XKSA1Datenblatt TrenchStop™ 5 TO-247-3 Tube Active - 650 V 80 A 300 A 1.35V @ 15V, 75A 536 W 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) Standard 436 nC 40ns/275ns 400V, 75A, 4Ohm, 15V 114 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
RGTVX2TS65DGC11

RGTVX2TS65DGC11

IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247N

Rohm Semiconductor

150
RFQ
RGTVX2TS65DGC11Datenblatt - TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 111 A 240 A 1.9V @ 15V, 60A 319 W 2.08mJ (on), 1.15mJ (off) Standard 123 nC 49ns/150ns 400V, 60A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGS80TS65DHRC11

RGS80TS65DHRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N

Rohm Semiconductor

703
RFQ
RGS80TS65DHRC11Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 73 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 272 W 1.05mJ (on), 1.03mJ (off) Standard 48 nC 37ns/112ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 103 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
IXGH48N60C3D1

IXGH48N60C3D1

IGBT PT 600V 75A TO247AD

IXYS

224
RFQ
IXGH48N60C3D1Datenblatt GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 75 A 250 A 2.5V @ 15V, 30A 300 W 410µJ (on), 230µJ (off) Standard 77 nC 19ns/60ns 400V, 30A, 3Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IKW50N120CS7XKSA1

IKW50N120CS7XKSA1

IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3

Infineon Technologies

144
RFQ
IKW50N120CS7XKSA1Datenblatt TRENCHSTOP™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 82 A 150 A 2V @ 15V, 50A 428 W 2.8mJ (on), 2.2mJ (off) Standard 290 nC 29ns/170ns 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V 165 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
AIKW50N60CTXKSA1

AIKW50N60CTXKSA1

IC DISCRETE 600V TO247-3

Infineon Technologies

387
RFQ
AIKW50N60CTXKSA1Datenblatt TrenchStop™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 80 A 150 A 2V @ 15V, 50A 333 W 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Standard 310 nC 26ns/299ns 400V, 50A, 7Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3-41
FGH40T120SMD

FGH40T120SMD

IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3

onsemi

5,425
RFQ
FGH40T120SMDDatenblatt - TO-247-3 Bulk Active Trench Field Stop 1200 V 80 A 160 A 2.4V @ 15V, 40A 555 W 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Standard 370 nC 40ns/475ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V 65 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

IGBT TRENCH FS 600V 155A TO264

Microchip Technology

175
RFQ
APT75GN60LDQ3GDatenblatt - TO-264-3, TO-264AA Tube Active Trench Field Stop 600 V 155 A 225 A 1.85V @ 15V, 75A 536 W 2500µJ (on), 2140µJ (off) Standard 485 nC 47ns/385ns 400V, 75A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IKQ75N120CS6XKSA1

IKQ75N120CS6XKSA1

IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247

Infineon Technologies

2,266
RFQ
IKQ75N120CS6XKSA1Datenblatt TrenchStop™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 150 A 300 A 2.15V @ 15V, 75A 880 W 5.15mJ (on), 2.95mJ (off) Standard 530 nC 34ns/300ns 600V, 75A, 4Ohm, 15V 440 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-46
IXYA8N250CHV

IXYA8N250CHV

IGBT 2500V 29A TO263HV

IXYS

229
RFQ
IXYA8N250CHVDatenblatt XPT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 2500 V 29 A 70 A 4V @ 15V, 8A 280 W 2.6mJ (on), 1.07mJ (off) Standard 45 nC 11ns/180ns 1250V, 8A, 15Ohm, 15V 5 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
RGS80TSX2HRC11

RGS80TSX2HRC11

IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

434
RFQ
RGS80TSX2HRC11Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 80 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 555 W 3mJ (on), 3.1mJ (off) Standard 104 nC 49ns/199ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
AIMDQ75R040M1HXUMA1

AIMDQ75R040M1HXUMA1

IGBT

Infineon Technologies

834
RFQ
AIMDQ75R040M1HXUMA1Datenblatt - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1

IGBT 600V 120A 600W TO247

IXYS

294
RFQ
IXXH50N60B3D1Datenblatt GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 120 A 200 A 1.8V @ 15V, 36A 600 W 670µJ (on), 740µJ (off) Standard 70 nC 27ns/100ns 360V, 36A, 5Ohm, 15V 25 ns - - - Through Hole TO-247AD (IXXH)
IXBH16N170

IXBH16N170

IGBT 1700V 40A TO247AD

IXYS

174
RFQ
IXBH16N170Datenblatt BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 1700 V 40 A 120 A 3.3V @ 15V, 16A 250 W - Standard 72 nC - - 1.32 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
FGY75T120SQDN

FGY75T120SQDN

IGBT 1200V 75A UFS

onsemi

450
RFQ
FGY75T120SQDNDatenblatt - TO-247-3 Variant Tube Active Field Stop 1200 V 150 A 300 A 1.95V @ 15V, 75A 790 W 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) Standard 399 nC 64ns/332ns 600V, 75A, 10Ohm, 15V 99 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
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Einzel-IGBTs Produkte und Auswahlhilfe

Einzel-IGBTs werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

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