Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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AOK20B65M2

AOK20B65M2

IGBT 650V 20A TO247

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

73
RFQ
AOK20B65M2Datenblatt Alpha IGBT™ TO-247-3 Tube Active - 650 V 40 A 60 A 2.15V @ 15V, 20A 227 W 580µJ (on), 280µJ (off) Standard 46 nC 26ns/123ns 400V, 20A, 15Ohm, 15V 292 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
STGW20V60F

STGW20V60F

IGBT 600V 40A 167W TO247

STMicroelectronics

72
RFQ
STGW20V60FDatenblatt - TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 40 A 80 A 2.2V @ 15V, 20A 167 W 200µJ (on), 130µJ (off) Standard 116 nC 38ns/149ns 400V, 20A, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
RJP60F5DPK-01#T0

RJP60F5DPK-01#T0

IGBT 600V 80A TO3P

Renesas Electronics Corporation

79
RFQ
RJP60F5DPK-01#T0Datenblatt - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 600 V 80 A 160 A 1.8V @ 15V, 40A 260.4 W - Standard 74 nC 53ns/90ns 400V, 30A, 5Ohm, 15V - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
STGFW20H65FB

STGFW20H65FB

IGBT 650V 40A 52W TO3PF

STMicroelectronics

205
RFQ
STGFW20H65FBDatenblatt - TO-3PFM, SC-93-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 650 V 40 A 80 A 2V @ 15V, 20A 52 W 77µJ (on), 170µJ (off) Standard 120 nC 30ns/139ns 400V, 20A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
HGTP20N60C3R

HGTP20N60C3R

40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

79
RFQ
HGTP20N60C3RDatenblatt - TO-220-3 Bulk Active - 600 V 45 A 300 A 1.8V @ 15V, 20A 164 W 500µJ (on), 500µJ (off) Standard 122 nC 28ns/151ns 480V, 20A, 10Ohm, 15V 24 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
RJP60F4DPM-00#T1

RJP60F4DPM-00#T1

IGBT TRENCH 600V 60A TO3PFM

Renesas Electronics Corporation

78
RFQ
RJP60F4DPM-00#T1Datenblatt - TO-220-3 Full Pack Tube Active Trench 600 V 60 A - 1.82V @ 15V, 30A 41.2 W - Standard - 45ns/70ns 400V, 30A, 5Ohm, 15V - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RGTH00TS65GC11

RGTH00TS65GC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N

Rohm Semiconductor

44
RFQ
RGTH00TS65GC11Datenblatt - TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 85 A 200 A 2.1V @ 15V, 50A 277 W - Standard 94 nC 39ns/143ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
NGTB35N60FL2WG

NGTB35N60FL2WG

IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247

onsemi

3,054
RFQ
NGTB35N60FL2WGDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 600 V 70 A 120 A 2V @ 15V, 35A 300 W 840µJ (on), 280µJ (off) Standard 125 nC 72ns/132ns 400V, 35A, 10Ohm, 15V 68 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
HGTG30N60B3_NL

HGTG30N60B3_NL

IGBT, 60A, 600V, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor

51
RFQ
HGTG30N60B3_NLDatenblatt - TO-247-3 Bulk Active NPT 600 V 60 A 220 A 1.9V @ 15V, 30A 208 W 550µJ (on), 680µJ (off) Standard 250 nC 36ns/137ns 480V, 60A, 3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
HGTG40N60C3

HGTG40N60C3

75A, 600V, N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

89
RFQ
HGTG40N60C3Datenblatt - TO-247-3 Bulk Active - 600 V 75 A 300 A 1.8V @ 15V, 40A 291 W 850mJ (on), 1mJ (off) Standard 395 nC 47ns/185ns 480V, 40A, 3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
HGTG27N60C3DR

HGTG27N60C3DR

UFS SERIES N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

68
RFQ
HGTG27N60C3DRDatenblatt - TO-247-3 Bulk Active - 600 V 54 A 108 A 2.2V @ 15V, 27A 208 W - Standard 212 nC - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
NGTB40N120IHRWG

NGTB40N120IHRWG

IGBT 1200V 80A 384W TO247

onsemi

31
RFQ
NGTB40N120IHRWGDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 1200 V 80 A 120 A 2.55V @ 15V, 40A 384 W 950µJ (off) Standard 225 nC -/230ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
STGWT80H65FB

STGWT80H65FB

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

STMicroelectronics

68
RFQ
STGWT80H65FBDatenblatt - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 650 V 120 A 240 A 2V @ 15V, 80A 469 W 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Standard 414 nC 84ns/280ns 400V, 80A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
APT40GR120B

APT40GR120B

IGBT NPT 1200V 88A TO247-3

Microchip Technology

37
RFQ
APT40GR120BDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 88 A 160 A 3.2V @ 15V, 40A 500 W 1.38mJ (on), 906µJ (off) Standard 210 nC 22ns/163ns 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
FGH30S130P

FGH30S130P

IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB

onsemi

69
RFQ
FGH30S130PDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 1300 V 60 A 90 A 2.3V @ 15V, 30A 500 W - Standard 78 nC - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
HGTG40N60C3R

HGTG40N60C3R

75A, 600V N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

45
RFQ
HGTG40N60C3RDatenblatt - TO-247-3 Bulk Active - 600 V 75 A 200 A 2.2V @ 15V, 40A 291 W - Standard 330 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
STGW40NC60V

STGW40NC60V

IGBT 600V 80A 260W TO247

STMicroelectronics

58
RFQ
STGW40NC60VDatenblatt PowerMESH™ TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 80 A 200 A 2.5V @ 15V, 40A 260 W 330µJ (on), 720µJ (off) Standard 214 nC 43ns/140ns 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
APT40GR120B2D30

APT40GR120B2D30

IGBT NPT 1200V 88A TO247-3

Microchip Technology

60
RFQ
APT40GR120B2D30Datenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 88 A 160 A 3.2V @ 15V, 40A 500 W 1.38mJ (on), 906µJ (off) Standard 210 nC 22ns/163ns 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRG4PSH71KDPBF

IRG4PSH71KDPBF

IRG4PSH71 - DISCRETE IGBT WITH A

International Rectifier

81
RFQ
IRG4PSH71KDPBFDatenblatt - TO-274AA Bulk Obsolete - 1200 V 78 A 156 A 3.9V @ 15V, 42A 350 W 5.68mJ (on), 3.23mJ (off) Standard 410 nC 67ns/230ns 800V, 42A, 5Ohm, 15V 107 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
SLA5222

SLA5222

IGBT 600V 30A PFC

Sanken Electric USA Inc.

88
RFQ
SLA5222Datenblatt - 12-SIP, 7 Leads Tube Active - 600 V 30 A - - - - Standard - - - - 150°C (TJ) - - Through Hole 7-SIP
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Einzel-IGBTs Produkte und Auswahlhilfe

Einzel-IGBTs werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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