Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

IGBT PT 600V 100A

Microchip Technology

115
RFQ
APT65GP60B2GDatenblatt POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 100 A 250 A 2.7V @ 15V, 65A 833 W 605µJ (on), 896µJ (off) Standard 210 nC 30ns/91ns 400V, 65A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
NGTB40N120L3WG

NGTB40N120L3WG

IGBT 1200V 160A TO247

onsemi

3,610
RFQ
NGTB40N120L3WGDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 1200 V 160 A 160 A 2V @ 15V, 40A 454 W 1.5mJ (on), 1.5mJ (off) Standard 220 nC 18ns/150ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V 86 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
STK762-921G-E

STK762-921G-E

IGBT ACTIVE FILTER POWER IC

onsemi

1,752
RFQ
STK762-921G-EDatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
STGD10NC60ST4

STGD10NC60ST4

IGBT 600V 18A 60W DPAK

STMicroelectronics

2,406
RFQ
STGD10NC60ST4Datenblatt PowerMESH™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete - 600 V 18 A 25 A 1.65V @ 15V, 5A 60 W 60µJ (on), 340µJ (off) Standard 18 nC 19ns/160ns 390V, 5A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
SGD04N60BUMA1

SGD04N60BUMA1

IGBT

Infineon Technologies

7,500
RFQ
SGD04N60BUMA1Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

onsemi

15,696
RFQ
NGB8207ABNT4GDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active - 365 V 20 A 50 A 2.2V @ 3.7V, 10A 165 W - Logic - - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
SKP02N60XKSA1

SKP02N60XKSA1

IGBT

Infineon Technologies

6,033
RFQ
SKP02N60XKSA1Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FGP5N60LS

FGP5N60LS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

19,247
RFQ
FGP5N60LSDatenblatt - TO-220-3 Bulk Active Field Stop 600 V 10 A 36 A 3.2V @ 12V, 14A 83 W 38µJ (on), 130µJ (off) Standard 18.3 nC 4.3ns/36ns 400V, 5A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FGPF4536

FGPF4536

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

88,700
RFQ
FGPF4536Datenblatt - TO-220-3 Full Pack Bulk Active Trench 360 V - 220 A 1.8V @ 15V, 50A 28.4 W - Standard 47 nC - - - - - - Through Hole TO-220F-3
FGPF70N30TDTU

FGPF70N30TDTU

IGBT TRENCH 300V 70A TO220F

Fairchild Semiconductor

4,534
RFQ
FGPF70N30TDTUDatenblatt - TO-220-3 Full Pack Bulk Active Trench 300 V 70 A 160 A 1.5V @ 15V, 20A 49.2 W - Standard 125 nC 32ns/175ns 200V, 40A, 15Ohm, 15V 21 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
IRGB4B60KD1PBF

IRGB4B60KD1PBF

IRGB4B60K - IGBT WITH ULTRAFAST

International Rectifier

57,450
RFQ
IRGB4B60KD1PBFDatenblatt - TO-220-3 Bulk Obsolete NPT 600 V 11 A 22 A 2.5V @ 15V, 4A 63 W 73µJ (on), 47µJ (off) Standard 12 nC 22ns/100ns 400V, 4A, 100Ohm, 15V 93 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

6,021
RFQ
ISL9V2040D3STDatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRGS4607DTRLPBF

IRGS4607DTRLPBF

IRGS4607 - DISCRETE IGBT WITH AN

International Rectifier

3,200
RFQ
IRGS4607DTRLPBFDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete - 600 V 11 A 12 A 2.05V @ 15V, 4A 58 W 140µJ (on), 62µJ (off) Standard 9 nC 27ns/120ns 400V, 4A, 100Ohm, 15V 48 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRGSL4B60KD1PBF

IRGSL4B60KD1PBF

IRGSL4B60 - DISCRETE IGBT WITH A

International Rectifier

2,850
RFQ
IRGSL4B60KD1PBFDatenblatt - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete NPT 600 V 11 A 22 A 2.5V @ 15V, 4A 63 W 73µJ (on), 47µJ (off) Standard 12 nC 22ns/100ns 400V, 4A, 100Ohm, 15V 93 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRGSL6B60KDPBF

IRGSL6B60KDPBF

IGBT NPT 600V 13A TO262

International Rectifier

10,000
RFQ
IRGSL6B60KDPBFDatenblatt - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete NPT 600 V 13 A 26 A 2.2V @ 15V, 5A 90 W 110µJ (on), 135µJ (off) Standard 18.2 nC 25ns/215ns 400V, 5A, 100Ohm, 15V 70 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
FGB7N60UNDF

FGB7N60UNDF

IGBT NPT 600V 14A TO263

Fairchild Semiconductor

285
RFQ
FGB7N60UNDFDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active NPT 600 V 14 A 21 A 2.3V @ 15V, 7A 83 W 99µJ (on), 104µJ (off) Standard 18 nC 5.9ns/32.3ns 400V, 7A, 10Ohm, 15V 32.3 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SGB15N60HSATMA1

SGB15N60HSATMA1

IGBT

Infineon Technologies

6,000
RFQ
SGB15N60HSATMA1Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRG4BC10SD-SPBF

IRG4BC10SD-SPBF

IGBT 600V 14A D2PAK

International Rectifier

2,050
RFQ
IRG4BC10SD-SPBFDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete - 600 V 14 A 18 A 1.8V @ 15V, 8A 38 W 310µJ (on), 3.28mJ (off) Standard 15 nC 76ns/815ns 480V, 8A, 100Ohm, 15V 28 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
NGB8206NTF4G

NGB8206NTF4G

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

onsemi

12,600
RFQ
NGB8206NTF4GDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete - 390 V 20 A - 1.9V @ 4.5V, 20A 150 W - Logic - - - - - - - Surface Mount D2PAK
FGPF4565

FGPF4565

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

891
RFQ
FGPF4565Datenblatt - TO-220-3 Full Pack Bulk Active Trench Field Stop 650 V - 170 A 1.88V @ 15V, 30A 30 W - Standard 40.3 nC 11.2ns/40.8ns 400V, 30A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
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Einzel-IGBTs Produkte und Auswahlhilfe

Einzel-IGBTs werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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