Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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IGTH20N40AD

IGTH20N40AD

N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP

Harris Corporation

444
RFQ
IGTH20N40ADDatenblatt - TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Bulk Active - 400 V 20 A - - - - Standard - - - - - - - Through Hole TO-218 Isolated
IGW50N65F5AXKSA1

IGW50N65F5AXKSA1

IGBT 650V TO247-3

Infineon Technologies

2,109
RFQ
IGW50N65F5AXKSA1Datenblatt TrenchStop™ TO-247-3 Bulk Obsolete Trench 650 V 80 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 270 W 490µJ (on), 140µJ (off) Standard 108 nC 21ns/156ns 400V, 25A, 12Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3
HGTH20N50EID

HGTH20N50EID

20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A

Harris Corporation

1,433
RFQ
HGTH20N50EIDDatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
HGTH20N50E1

HGTH20N50E1

20A, 500V, N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

287
RFQ
HGTH20N50E1Datenblatt - TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Bulk Active - 500 V 20 A 35 A 3.2V @ 20V, 35A 100 W - Standard 33 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-218 Isolated
HGTG12N60DID

HGTG12N60DID

24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N

Harris Corporation

15,378
RFQ
HGTG12N60DIDDatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJH60M2DPE-00#J3

RJH60M2DPE-00#J3

IGBT TRENCH 600V 25A 4LDPAK

Renesas Electronics Corporation

159,000
RFQ
RJH60M2DPE-00#J3Datenblatt - SC-83 Bulk Active Trench 600 V 25 A - 2.5V @ 15V, 12A 63 W 180µJ (on), 180µJ (off) Standard 33 nC 32ns/70ns 300V, 12A, 5Ohm, 15V 85 ns 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-LDPAK
NGTB50N60FWG

NGTB50N60FWG

IGBT 600V 100A 223W TO247

onsemi

5,565
RFQ
NGTB50N60FWGDatenblatt * - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
NGTB40N60L2WG

NGTB40N60L2WG

IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247

onsemi

3,498
RFQ
NGTB40N60L2WGDatenblatt - TO-247-3 Bulk Obsolete Trench Field Stop 600 V 80 A 160 A 2.61V @ 15V, 40A 417 W 1.17mJ (on), 280µJ (off) Standard 228 nC 98ns/213ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 73 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
RJP60D0DPE-00#J3

RJP60D0DPE-00#J3

IGBT 600V 45A LDPAK

Renesas Electronics Corporation

1,021
RFQ
RJP60D0DPE-00#J3Datenblatt - SC-83 Tape & Reel (TR) Active - 600 V 45 A - 2.2V @ 15V, 22A 122 W - Standard 45 nC 35ns/90ns 300V, 22A, 5Ohm, 15V - 150°C (TJ) - - Surface Mount LDPAK
NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

IGBT 600V 120A 298W TO247

onsemi

6,794
RFQ
NGTB60N60SWGDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 600 V 120 A 240 A 2.5V @ 15V, 60A 298 W 1.41mJ (on), 600µJ (off) Standard 173 nC 87ns/180ns 400V, 60A, 10Ohm, 15V 76 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRG8P25N120KDPBF

IRG8P25N120KDPBF

IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER

International Rectifier

13,742
RFQ
IRG8P25N120KDPBFDatenblatt - TO-247-3 Bulk Active - 1200 V 40 A 45 A 2V @ 15V, 15A 180 W 800µJ (on), 900µJ (off) Standard 135 nC 20ns/170ns 600V, 15A, 10Ohm, 15V 70 ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRGP4063-EPBF

IRGP4063-EPBF

IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D

International Rectifier

892
RFQ
IRGP4063-EPBFDatenblatt - TO-247-3 Bulk Active Trench 600 V 96 A 144 A 2.14V @ 15V, 48A 330 W 625µJ (on), 1.28mJ (off) Standard 95 nC 60ns/145ns 400V, 48A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
HGTG20N60B3-FS

HGTG20N60B3-FS

IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL, TO-2

Fairchild Semiconductor

21,095
RFQ
HGTG20N60B3-FSDatenblatt - TO-247-3 Bulk Active - 600 V 40 A 160 A 2V @ 15V, 20A 165 W - Standard 135 nC - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
HGTG20N60B3

HGTG20N60B3

N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

1,325
RFQ
HGTG20N60B3Datenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 40 A 160 A 2V @ 15V, 20A 165 W 475µJ (on), 1.05mJ (off) Standard 80 nC - 480V, 20A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
FGI40N60SFTU

FGI40N60SFTU

IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor

900
RFQ
FGI40N60SFTUDatenblatt - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete Field Stop 600 V 80 A 120 A 2.9V @ 15V, 40A 290 W 1.13mJ (on), 310µJ (off) Standard 120 nC 25ns/115ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
RGT50TS65DGC11

RGT50TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 48A TO247N

Rohm Semiconductor

431
RFQ
RGT50TS65DGC11Datenblatt - TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 48 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A 174 W - Standard 49 nC 27ns/88ns 400V, 25A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGTH80TK65GC11

RGTH80TK65GC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 31A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450
RFQ
RGTH80TK65GC11Datenblatt - TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 31 A 160 A 2.1V @ 15V, 40A 66 W - Standard 79 nC 34ns/120ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
HGTP15N50C1

HGTP15N50C1

15A, 500V, N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

8,373
RFQ
HGTP15N50C1Datenblatt - TO-220-3 Bulk Active - 500 V 15 A 35 A 3.2V @ 20V, 35A 75 W - Standard 33 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
RGTV80TK65GVC11

RGTV80TK65GVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450
RFQ
RGTV80TK65GVC11Datenblatt - TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 39 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 85 W 1.02mJ (on), 710µJ (off) Standard 81 nC 39ns/113ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RGW50TK65DGVC11

RGW50TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450
RFQ
RGW50TK65DGVC11Datenblatt - TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 30 A 100 A 1.9V @ 15V, 25A 67 W 390µJ (on), 430µJ (off) Standard 73 nC 35ns/102ns 400V, 25A, 10Ohm, 15V 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
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