Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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TIG064E8-TL-H-ON

TIG064E8-TL-H-ON

N-CHANNEL IGBT FOR LIGHT-CONTROL

onsemi

1,152,000
RFQ
TIG064E8-TL-H-ONDatenblatt - 8-SMD, Flat Leads Bulk Active - 400 V - 150 A 7V @ 2.5V, 100A - - Standard - - - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
TIG064E8-TL-H

TIG064E8-TL-H

N-CHANNEL IGBT FOR LIGHT-CONTROL

Sanyo

44,624
RFQ
TIG064E8-TL-HDatenblatt - 8-SMD, Flat Leads Bulk Active - 400 V - 150 A 7V @ 2.5V, 100A - - Standard - - - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
NGD8205ANT4G

NGD8205ANT4G

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

onsemi

7,500
RFQ
NGD8205ANT4GDatenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete - 390 V 20 A 50 A 1.9V @ 4.5V, 20A 125 W - Logic - -/5µs 300V, 9A, 1kOhm, 5V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
FGH20N6S2D

FGH20N6S2D

N-CHANNEL IGBT

Fairchild Semiconductor

7,624
RFQ
FGH20N6S2DDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 28 A 40 A 2.7V @ 15V, 7A 125 W 25µJ (on), 58µJ (off) Standard 30 nC 7.7ns/87ns 390V, 7A, 25Ohm, 15V 31 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
RJP4006AGE-01#P5

RJP4006AGE-01#P5

IGBTS, 400V, 120A, N-CHANNEL

Renesas Electronics Corporation

27,000
RFQ
RJP4006AGE-01#P5Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MGP15N60U

MGP15N60U

IGBT, 26A, 600V, N-CHANNEL

onsemi

9,484
RFQ
MGP15N60UDatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SGS23N60UFDTU

SGS23N60UFDTU

IGBT 600V 23A 73W TO220F

onsemi

8,021
RFQ
SGS23N60UFDTUDatenblatt - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete - 600 V 23 A 92 A 2.6V @ 15V, 12A 73 W 115µJ (on), 135µJ (off) Standard 49 nC 17ns/60ns 300V, 12A, 23Ohm, 15V 60 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
RJP4007ANS-00#Q6

RJP4007ANS-00#Q6

IGBT 400V 15A

Renesas Electronics Corporation

267,000
RFQ
RJP4007ANS-00#Q6Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FGPF70N30

FGPF70N30

IGBT 300V 52W TO220F

Fairchild Semiconductor

58,000
RFQ
FGPF70N30Datenblatt - TO-220-3 Full Pack Bulk Active - 300 V - 160 A 1.5V @ 15V, 20A 52 W - Standard 71 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
IRGS8B60KPBF

IRGS8B60KPBF

IGBT, 11A, 600V, N-CHANNEL

International Rectifier

2,250
RFQ
IRGS8B60KPBFDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active NPT 600 V 28 A 34 A 2.2V @ 15V, 8A 167 W 160µJ (on), 160µJ (off) Standard 29 nC 23ns/140ns 400V, 8A, 50Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FGPF4533

FGPF4533

IGBT

Fairchild Semiconductor

1,914
RFQ
FGPF4533Datenblatt - TO-220-3 Full Pack Bulk Active Trench 330 V - 200 A 1.8V @ 15V, 50A 28.4 W - Standard 44 nC - - - - - - Through Hole TO-220F
STB1081SL3G

STB1081SL3G

IGBT D2PAK 350V SPECIAL

onsemi

6,450
RFQ
STB1081SL3GDatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SGU15N40LTU

SGU15N40LTU

IGBT TRENCH 400V IPAK

Fairchild Semiconductor

6,045
RFQ
SGU15N40LTUDatenblatt - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete Trench 400 V - 130 A 8V @ 4.5V, 130A 45 W - Standard - - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
FGPF50N33BTTU

FGPF50N33BTTU

IGBT, 50A, 330V, N-CHANNEL, TO-2

Fairchild Semiconductor

3,000
RFQ
FGPF50N33BTTUDatenblatt - TO-220-3 Full Pack Bulk Active Trench 330 V 50 A 160 A 1.5V @ 15V, 20A 43 W - Standard 35 nC - - - - - - Through Hole TO-220F
IGTP10N40A

IGTP10N40A

N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP

Harris Corporation

1,637
RFQ
IGTP10N40ADatenblatt - TO-220-3 Bulk Active - 400 V 10 A - - - - Standard - - - - - - - Through Hole TO-220
STB1081L3

STB1081L3

TRANS IGBT CHIP N-CH 380V 15A 4P

onsemi

8,900
RFQ
STB1081L3Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRGR4045DPBF

IRGR4045DPBF

IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D

International Rectifier

1,277
RFQ
IRGR4045DPBFDatenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active Trench 600 V 12 A 18 A 2V @ 15V, 6A 77 W 56µJ (on), 122µJ (off) Standard 19.5 nC 27ns/75ns 400V, 6A, 47Ohm, 15V 74 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
MGP20N36CL

MGP20N36CL

IGBT T0220 360V CL

onsemi

82,758
RFQ
MGP20N36CLDatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SGW23N60UFDTM

SGW23N60UFDTM

N-CHANNEL IGBT

Fairchild Semiconductor

38,400
RFQ
SGW23N60UFDTMDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete - 600 V 23 A 92 A 2.6V @ 15V, 12A 100 W 115µJ (on), 135µJ (off) Standard 49 nC 17ns/60ns 300V, 12A, 23Ohm, 15V 60 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRG4BC20WPBF

IRG4BC20WPBF

IGBT 600V 13A 60W TO220AB

Infineon Technologies

5,200
RFQ
IRG4BC20WPBFDatenblatt - TO-220-3 Tube Obsolete - 600 V 13 A 52 A 2.6V @ 15V, 6.5A 60 W 60µJ (on), 80µJ (off) Standard 26 nC 22ns/110ns 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
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Einzel-IGBTs Produkte und Auswahlhilfe

Einzel-IGBTs werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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