FETs, MOSFETs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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PJD14P10A_L2_00001

PJD14P10A_L2_00001

100V P-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

3,279
RFQ
PJD14P10A_L2_00001Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.5A (Ta), 14A (Tc) 4.5V, 10V 140mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 40.7 nC @ 10 V ±20V 2298 pF @ 30 V - 2W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

onsemi

2,780
RFQ
NTD14N03RT4GDatenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 2.5A (Ta) 4.5V, 10V 95mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 1.8 nC @ 5 V ±20V 115 pF @ 20 V - 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IPD50N04S410ATMA1

IPD50N04S410ATMA1

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Infineon Technologies

2,488
RFQ
IPD50N04S410ATMA1Datenblatt OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 10V 9.3mOhm @ 50A, 10V 4V @ 15µA 18.2 nC @ 10 V ±20V 1430 pF @ 25 V - 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
ISP25DP06LMXTSA1

ISP25DP06LMXTSA1

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

Infineon Technologies

1,229
RFQ
ISP25DP06LMXTSA1Datenblatt OptiMOS™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.9A (Ta) 4.5V, 10V 250mOhm @ 1.9A, 10V 2V @ 270µA 13.9 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 30 V - 1.8W (Ta), 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4
RQ5L035GNTCL

RQ5L035GNTCL

MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3

Rohm Semiconductor

5,684
RFQ
RQ5L035GNTCLDatenblatt - SC-96 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3.5A (Ta) 4.5V, 10V 50mOhm @ 3.5A, 10V 2.7V @ 50µA 7.3 nC @ 10 V ±20V 375 pF @ 30 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT3
NVD3055-150T4G-VF01

NVD3055-150T4G-VF01

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

onsemi

4,775
RFQ
NVD3055-150T4G-VF01Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9A (Ta) 10V 150mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 25 V - 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223

Infineon Technologies

3,616
RFQ
IPN60R600P7SATMA1Datenblatt CoolMOS™ P7 TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 600mOhm @ 1.7A, 10V 4V @ 80µA 9 nC @ 10 V ±20V 363 pF @ 400 V - 7W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223
BUK9Y41-80E,115

BUK9Y41-80E,115

MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

2,133
RFQ
BUK9Y41-80E,115Datenblatt TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 24A (Tc) 5V, 10V 41mOhm @ 5A, 10V 2.1V @ 1mA 11.9 nC @ 5 V ±10V 1570 pF @ 25 V - 64W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
PSMN6R1-30YLDX

PSMN6R1-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

2,088
RFQ
PSMN6R1-30YLDXDatenblatt - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 66A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 1mA 13.6 nC @ 10 V ±20V 817 pF @ 15 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
ZVNL110ASTZ

ZVNL110ASTZ

MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE

Diodes Incorporated

2,000
RFQ
ZVNL110ASTZDatenblatt - E-Line-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 320mA (Ta) 5V, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V 1.5V @ 1mA - ±20V 75 pF @ 25 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Diodes Incorporated

1,707
RFQ
ZXMN2B03E6TADatenblatt - SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 40mOhm @ 4.3A, 4.5V 1V @ 250µA 14.5 nC @ 4.5 V ±8V 1160 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333

Diodes Incorporated

144
RFQ
DMN3009SFG-7Datenblatt - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta), 45A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 15 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI3333-8
IPP65R225C7XKSA1

IPP65R225C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

Infineon Technologies

160
RFQ
IPP65R225C7XKSA1Datenblatt CoolMOS™ C7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 225mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 240µA 20 nC @ 10 V ±20V 996 pF @ 400 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
TPN2R903PL,L1Q

TPN2R903PL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON

Toshiba Semiconductor and Storage

36,136
RFQ
TPN2R903PL,L1QDatenblatt U-MOSIX-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 35A, 10V 2.1V @ 200µA 26 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 15 V - 630mW (Ta), 75W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
IPD70R1K4CEAUMA1

IPD70R1K4CEAUMA1

MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3

Infineon Technologies

14,900
RFQ
IPD70R1K4CEAUMA1Datenblatt CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 5.4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 130µA 10.5 nC @ 10 V ±20V 225 pF @ 100 V - 53W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
RTR020P02HZGTL

RTR020P02HZGTL

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3

Rohm Semiconductor

14,111
RFQ
RTR020P02HZGTLDatenblatt - SC-96 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 2.5V, 4.5V 135mOhm @ 2A, 4.5V 2V @ 1mA 4.9 nC @ 4.5 V ±12V 430 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TSMT3
DMP1007UCB9-7

DMP1007UCB9-7

MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9

Diodes Incorporated

6,836
RFQ
DMP1007UCB9-7Datenblatt - 9-UFBGA, WLBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 13.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 5.7mOhm @ 2A, 4.5V 1.1V @ 250µA 8.2 nC @ 4.5 V ±6V 900 pF @ 4 V - 840mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-WLB1515-9 (Type C)
NTTFS6H854NLTAG

NTTFS6H854NLTAG

MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN

onsemi

3,394
RFQ
NTTFS6H854NLTAGDatenblatt - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 10A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 2V @ 45µA 17 nC @ 10 V ±20V 902 pF @ 40 V - 3.2W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
SI4134DY-T1-E3

SI4134DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

Vishay Siliconix

3,214
RFQ
SI4134DY-T1-E3Datenblatt TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Tc) 10V 14mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 846 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IPD25DP06NMATMA1

IPD25DP06NMATMA1

MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3

Infineon Technologies

2,475
RFQ
IPD25DP06NMATMA1Datenblatt OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.5A (Tc) 10V 250mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 270µA 10.6 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 30 V - 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
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Kategorieübersicht

FETs, MOSFETs Produkte und Auswahlhilfe

FETs, MOSFETs werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie FETs, MOSFETs nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

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Wie wähle ich den passenden FETs, MOSFETs aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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