Brückengleichrichter

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodentyp Technologie Spannung - Spitzensperrspannung (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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CBR1-D040S TR13 PBFREE

CBR1-D040S TR13 PBFREE

BRIDGE RECT 1P 400V 1A 4-SMDIP

Central Semiconductor Corp

177
RFQ
CBR1-D040S TR13 PBFREEDatenblatt - 4-SMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Single Phase Standard 400 V 1 A 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMDIP
VS-2KBB60

VS-2KBB60

BRIDGE RECT 1P 600V 1.9A 2KBB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

473
RFQ
VS-2KBB60Datenblatt - 4-SIP, 2KBB Bulk Active Single Phase Standard 600 V 1.9 A 1.1 V @ 1.9 A 10 µA @ 600 V -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 2KBB
GBJ25MI_T0_00101

GBJ25MI_T0_00101

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ-1

Panjit International Inc.

737
RFQ
GBJ25MI_T0_00101Datenblatt - 4-SIP, GBJ Tube Not For New Designs Single Phase Standard 1 kV 25 A 1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ-1
GBU10K-BP

GBU10K-BP

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU

Micro Commercial Co

1,505
RFQ
GBU10K-BPDatenblatt - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 800 V 10 A 1.1 V @ 5 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBJ806-BP

GBJ806-BP

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBJ

Micro Commercial Co

1,499
RFQ
GBJ806-BPDatenblatt - 4-SIP, GBJ Tube Active Single Phase Standard 600 V 8 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C - - Through Hole GBJ
GBU4KL-BP

GBU4KL-BP

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU

Micro Commercial Co

1,360
RFQ
GBU4KL-BPDatenblatt - 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 800 V 4 A 900 mV @ 4 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C - - Through Hole GBU
GBU4G-E3/45

GBU4G-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

330
RFQ
GBU4G-E3/45Datenblatt - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 400 V 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU4K-E3/51

GBU4K-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

244
RFQ
GBU4K-E3/51Datenblatt - 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 800 V 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
VS-2KBB100R

VS-2KBB100R

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.9A 2KBB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

227
RFQ
VS-2KBB100RDatenblatt - 4-SIP, 2KBB Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 1.9 A - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 2KBB
VS-2KBB20R

VS-2KBB20R

BRIDGE RECT 1P 200V 1.9A 2KBB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

541
RFQ
VS-2KBB20RDatenblatt - 4-SIP, 2KBB Bulk Active Single Phase Standard 200 V 1.9 A 1.1 V @ 1.9 A 10 µA @ 200 V -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 2KBB
GBU6J-E3/51

GBU6J-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

574
RFQ
GBU6J-E3/51Datenblatt - 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 600 V 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU6B-E3/51

GBU6B-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

380
RFQ
GBU6B-E3/51Datenblatt - 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 100 V 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
TS35P07G

TS35P07G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A TS-6P

Taiwan Semiconductor Corporation

202
RFQ
TS35P07GDatenblatt - 4-SIP, TS-6P Tube Active Single Phase Standard 1 kV 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TS-6P
GBPC5006-BP

GBPC5006-BP

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A GBPC

Micro Commercial Co

382
RFQ
GBPC5006-BPDatenblatt - 4-Square, GBPC Bulk Active Single Phase Standard 600 V 50 A 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - QC Terminal GBPC
GBU6G

GBU6G

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBU

onsemi

14
RFQ
GBU6GDatenblatt - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 400 V 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
TS35P05G

TS35P05G

BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P

Taiwan Semiconductor Corporation

776
RFQ
TS35P05GDatenblatt - 4-SIP, TS-6P Tube Active Single Phase Standard 600 V 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TS-6P
VS-2KBB10R

VS-2KBB10R

BRIDGE RECT 1P 100V 1.9A 2KBB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

479
RFQ
VS-2KBB10RDatenblatt - 4-SIP, 2KBB Bulk Active Single Phase Standard 100 V 1.9 A - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 2KBB
GBU8J-E3/45

GBU8J-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

646
RFQ
GBU8J-E3/45Datenblatt - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 600 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8B-E3/51

GBU8B-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

289
RFQ
GBU8B-E3/51Datenblatt - 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 100 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8M-E3/45

GBU8M-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

612
RFQ
GBU8M-E3/45Datenblatt - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 1 kV 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
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Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

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